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与线性电源相比，PWM关电源更为有效的工作过程是通过“斩波”，即把输入的直流电压斩成幅值等于输入电压幅值的脉冲电压来实现的。脉冲的占空比由关电源的控制器来调节。一旦输入电压被斩成交流方波，其幅值可以通过变压器来升高或降低。通过增加变压器的二次绕组数可以增加输出的电压值。后这些交流波形经过整流滤波后得到直流输出电压。

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因此，可以看出，额定极限短路分断能力Icn指的是低压断路器在分断了断路器出线端大三相短路电流后还可再正常运行并再分断这一短路电流一次，于以后是否能正常接通及分断，断路器不予以保；而额定运行短路分断能力Ics指的是断路器在其出线端大三相短路电流发生时可多次正常分断。IEC947—2《低压关设备和控制设备低压断路器》标准规定：A类断路器（指仅有过载长延时、短路瞬动的断路器）的Ics可以是25%、50%、75%和。B类断路器（有过载长延时、短路短延时、短路瞬动的三段保护的断路器）的Ics可以是Ics的50%、75%和。因此可以看出，额定运行短路分断能力是一种比额定极限短路分断电流小的分断电流值。坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段，利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段，利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。