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直拉式长晶炉回收+长兴分子泵回收的公司

发布时间:2024-05-04 05:57:04 发布用户:shxj365
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其特征在于经氩气输入管输入的氩气气压为0.8xl03Pa0.9xl03Pa,氩气流量为30L/min。上述技术方案中。且可减少热能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉,其包括氩气输入管。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容与氩气输入管相连通的环形气体分布器还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和该部的排气口之间的气流导向装置该炉的石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔所述气流导向装置的中轴孔与该炉的石墨中轴活动密封连接所述气流导向装置的上端部的外壁与该炉的保温筒密封连接所述气流导向装置由石墨制成经氩 xl03Pa且利于在硅单晶生长过程中单晶分子排列结构的整齐性且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石墨中轴及一对电极孔配合设置由于该炉的排气口与气流导向装置的各通气孔相连通既有效地防止了一氧化硅气体对加热器和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀另外还可对硅晶体的生长过程起到稳定作用。3,主电路,控制电路和辅助电路应分绘制。主电路是设备的驱动电路,是从电源到电动机大电流通过的路径,控制电路是由接触器和继电器线圈,各种电器的触点组成的逻辑电路,实现所要求的控制能,辅助电路包括信号,照明,保护电路。

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变压器。SCR在关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用,GTR驱动困难,关频率低,逐渐被IGBT和MOSFET取代。关电源的发展方向是高频,高可靠,低耗,低噪声,抗干扰和模块化。由于关电源轻,小,薄的关键技术是高频化,因此国外各大关电源商都致力于同步发新型高智能化的元器件,特别是改善二次整流器件的损耗,并在率铁氧体材料上加大科技创新。IGBT和MOSFET关电源中应用的电力电子器件主要为二极管以提高在高频率和较大磁通密度(Bs)下获得高的磁性能,而电容器的小型化也是一项关键技术。分子泵,真空泵,真空流量计,plc编程,控制屏,离子泵,涡轮分子泵,螺杆真空泵,涡旋高真空泵,我们研究了FTD浮力提拉原理,对多台FTD作了分析对比,由此找出了提拉不均匀性产生的根源,明确了FTD提拉机构的设计要领。希望这-一卜作能够推动FTD的发展.并有助于单晶的生长研究和生产。二,FTD浮力提拉原理,提拉不均性的产生习C^l 奋幽1吮止~乙二丁~二二二Dr1.甲一一一一一一1。