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对于低频信号说来，晶体三极管是负载（耳机）接在集电极电路内的
放大器。此外，整个输入回路两端的高频电压，经二极管Д1整流后得到直流电压，作为晶体三极管集电极电路的
直流电源。因为被整流电压的频率很高，整流后的滤波只要用一只容量为0.1微法的电
容器就行了。所示第二种电路与前一种电路的区别在于：这里采用了CДД组成的倍压整流电路，用以提高直流供电电压，从而增大晶体管的放大作用，使声音响一些。在的第三种电路中，高频电压直接加在基极和发射极之间进行整流，整流后在电阻R1上得到的直流电压，用作为集电极电路的
电源。
下面讨论三相
电机的转矩特性，由于其电流波形近似为正弦波，现将细分驱动时的转矩与两相电机比较来看。如增加细分的细分数，电流波形能近似正弦波，磁通的高次谐波的影响更明显。两相电机细分时的转矩磁通是不含高次谐波的正弦波，如式前一篇中的T2=IΦsinδ所示。下图是对其磁通含三次谐波时的细分两相电机与三相电机转矩进行比较。三相电机的各相转矩与两相电机的曲线相同，用下图式1表示。交链磁通能用基波与奇数次高次谐波之和表示（偶数次的高次谐波与线圈交链时会抵消，不会变成交链磁通），基波与三次谐波之和如下图所示。
我们知道,单片机外部输入的中断触发电平是TTL电平。对于TTL电平，TTL逻辑门输出高电平的允许范围为2.4~5V，其标称值为3.6V；输出低电平的允许范围为0~0.7V，其标称值为0.3V，在0.7V与2.4V之间的是非高非低的中间电平。这样，在实际应用中，设单片机外部中断引脚INT0输入一路由＋5V下降到0V的下降沿信号，单片机在某个时钟周期采样INT0引脚得到2.4V的高电平；而在下一个时钟周期到来进行采样时，由于实际的外部输入中断触发信号由高电平变为低电平往往需要一定的时间，检测到的可能并非真正的低电平（小于0.7V），而是处于低电平与高电平之间的某一中间电平，即0.7~2.4V的某一电平。
